(1) Для безопасного использования МОП-транзисторов конструкция схемы не должна выходить за пределы таких параметров, как рассеиваемая мощность, максимальное напряжение стока-исток, максимальное напряжение затвора-исток и максимальный ток.
(2) При использовании МОП-транзисторов всех типов они должны быть строго смещены в схему согласно необходимой полярности. Например, переход затвор-исток-сток полевого-транзистора с эффектом перехода (JFET) представляет собой PN-переход; N--канальный JFET не может иметь положительное смещение, приложенное к его затвору, а P--канальный JFET не может иметь отрицательное смещение, приложенное к его затвору, и т. д.
(3) Из-за чрезвычайно высокого входного импеданса выводы МОП-МОП-транзисторов должны быть короткозамкнуты-при транспортировке и хранении, а также должны быть упакованы в металлический экран, чтобы предотвратить повреждение затвора внешними наведенными потенциалами. Особенно важно отметить, что МОП-МОП-транзисторы не следует помещать в пластиковые коробки; В идеале их следует хранить в металлических ящиках, при этом необходимо соблюдать осторожность, чтобы не допустить повреждения от влаги.
(4) Чтобы предотвратить пробой затвора МОП-транзистора, все испытательные приборы, рабочие места, паяльники и сами схемы должны быть надлежащим образом заземлены. При пайке контактов сначала припаивайте источник. Перед подключением к схеме все выводы МОП-транзистора должны быть закорочены друг на друга, а закорачивающий материал удалять только после пайки. При извлечении полевого МОП-транзистора из стойки компонентов обеспечьте правильное заземление пользователя, например, с помощью заземляющего кольца. Конечно, если использовать усовершенствованный паяльник с газовым-нагревом, паять МОП-транзистор будет удобнее и безопаснее. Никогда не вставляйте и не удаляйте МОП-транзистор из схемы при включенном питании. Эти меры безопасности необходимо соблюдать при использовании МОП-транзисторов.
(5) При установке МОП-транзисторов избегайте размещения их рядом с компонентами, -выделяющими тепло. Для предотвращения вибрации необходимо закрепить корпус МОП-транзистора. При сгибании проводов сгибайте их не менее чем на 5 мм за размер корня, чтобы предотвратить поломку и утечку воздуха.
(6) При использовании VMOS-транзисторов необходимо использовать подходящий радиатор. Например, для VNF306 требуется радиатор размером 140×140×4 (мм) для достижения максимальной мощности 30 Вт.
(7) При параллельном подключении нескольких транзисторов меж-электродная емкость и распределенная емкость соответственно увеличиваются, ухудшая высокочастотные-характеристики усилителя и легко вызывая высокочастотные паразитные колебания из-за обратной связи. Поэтому количество параллельных составных транзисторов обычно не должно превышать четырех, а резистор против -паразитных колебаний должен быть подключен последовательно к базе или затвору каждого транзистора.
(8) Напряжение затвора-истока полевого-транзистора с переходным эффектом (JFET) не может быть инвертировано и может сохраняться в состоянии разомкнутой-цепи. Однако в случае полевого транзистора с изолированным-затвором-эффектом (IGFET) из-за его очень высокого входного сопротивления все электроды должны быть короткозамкнуты,-когда они не используются, чтобы предотвратить повреждение от внешних электрических полей.
(9) Во время пайки корпус паяльника должен быть оснащен внешним заземляющим проводом, чтобы предотвратить повреждение транзисторов из-за зарядки паяльника. Для пайки небольших-объемов паяльник можно нагреть, а затем отключить от сети или отключить источник питания перед пайкой. Особенно при пайке полевых транзисторов с изолированным-затвором-эффектом (FET) пайку следует выполнять в порядке истока-стока-затвора, а во время пайки следует отключать питание.
(10) При пайке паяльником мощностью 25 Вт процесс должен быть быстрым. При использовании паяльника мощностью 45-75 Вт следует удерживать основания контактов пинцетом, чтобы способствовать отводу тепла. Полевые транзисторы с полевым-эффектом перехода (JFET) можно качественно проверить с помощью мультиметра (проверяя прямое и обратное сопротивление каждого PN-перехода и сопротивление между стоком и истоком). Однако полевые транзисторы с изолированным-затвором нельзя проверить мультиметром; требуется испытательный прибор, а короткие замыкания на каждом электроде следует устранять только после подключения к испытательному прибору. При удалении полевого транзистора его следует сначала закоротить, и главное — не допустить, чтобы затвор оставался плавающим.
При использовании в приложениях, требующих высокого входного сопротивления, необходимо принять-меры защиты от влаги, чтобы предотвратить снижение входного сопротивления полевого транзистора из-за температурных воздействий. При использовании четырехвыводного полевого транзистора -вывод его подложки должен быть заземлен. Транзисторы с кунжутными семенами в керамическом-корпусе обладают светочувствительными характеристиками, поэтому их следует использовать в защищенном от света месте.
Для силовых полевых транзисторов очень важно хорошее рассеивание тепла. Поскольку силовые МОП-транзисторы работают в условиях высокой нагрузки, необходимо предусмотреть достаточные радиаторы, чтобы температура корпуса не превышала номинальное значение, что позволяет устройству работать стабильно и надежно в течение длительного периода.
Короче говоря, нужно учитывать множество вещей и принимать различные меры безопасности, чтобы обеспечить безопасное использование МОП-транзисторов. Профессиональные технические специалисты, и особенно энтузиасты электроники, должны учитывать свои конкретные обстоятельства и применять практические методы безопасного и эффективного использования МОП-транзисторов.
